评级（）电子行业点评：功率器件价格跟踪系列-IGBT、MOS渠道价格整体稳定，部分料号有所上涨

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报告名称 ：电子行业点评：功率器件价格跟踪系列-IGBT、MOS渠道价格整体稳定，部分料号有所上涨
评级 ：增持
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证券研究报告 | 行业点评
电子

2022 年 06 月 08 日

-31%

风险提示：下游需求不及预期，行业竞争加剧风险，产品迭代升级进度不及预期风

险。

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内容目录

1. MOSFET 渠道价格跟踪 .................................................................................................. 4 2. IGBT 单管渠道价格跟踪 .................................................................................................. 4 3. SiC 器件渠道价格跟踪 .................................................................................................... 5 4. 风险提示 ......................................................................................................................... 6

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图表目录

图 1：中低压 MOSFET 渠道价格（元/个） ......................................................................... 4 图 2：中高压 MOSFET 渠道价格（元/个） ......................................................................... 4 图 3：IGBT 单管渠道价格跟踪（元/个） ............................................................................. 4 图 4：650V SiC 肖特基二极管与硅基 FRD 报价对比（元/安培） ....................................... 5 图 5：1200V SiC 肖特基二极管与硅基 FRD 报价对比（元/安培） ..................................... 5 图 6：650V SiC MOSFET 与硅基 IGBT 单管报价对比（元/安培） ..................................... 5 图 7：1200V SiC MOSFET 与硅基 IGBT 单管报价对比（元/安培） ................................... 5

表 1：2022 年 6 月 IGBT 单管与 SiC MOSFET 产品渠道报价对比 ..................................... 5

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1. MOSFET 渠道价格跟踪

中低压 MOSFET 价格整体稳定，高压 MOSFET 部分料号有涨价。根据正能 量电子网显示的功率器件渠道报价，我们梳理了 MOSFET 等产品的主要海外厂商 的价格情况。从 MOSFET 产品来看，中低压小信号 MOSFET 价格自 21Q4 下行 以来，目前价格已经稳定。中高压 MOSFET 方面，整体稳中有涨。例如，安森美 150V 的沟槽型产品价格保持稳定，而其 500V 的超级结产品价格继续保持高位。

英飞凌的 100V 车规产品在 5 月环比 4 月有小幅上涨，显示车规需求仍较好。

2. IGBT 单管渠道价格跟踪

IGBT 单管价格稳定。我们选取 600V、1200V 各两款产品以跟踪 IGBT 单管 目前的市场情况。从数据可以看出，进入 Q2 后 IGBT 单管价格保持稳定，其中 1200V 产品价格环比持平，而安森美和英飞凌的 600V 产品环比 Q1 仍有一定上 涨。由于 IGBT 单管下游应用领域广泛，包括工业、光伏、充电桩、汽车等，所 以预计在需求景气带动下，IGBT 单管价格今年仍将保持在高位。

图 3：IGBT 单管渠道价格跟踪（元/个）

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资料来源：bom.ai、德邦研究所

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3. SiC 器件渠道价格跟踪

SiC器件报价在持续下降，并与硅基器件价差逐渐缩小。根据CASA Research 统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，SiC 肖特基二极管（SBD）以及 SiC MOSFET 器件近年来在逐步下降，其中 650V SiC SBD 报价在 2018~2020 年的复合降幅达到 25%，而 650V SiC MOSFET 的复合降幅为 32%。由于 SiC 器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。

高压领域 SiC 与硅基价差缩小更明显。根据元器件经销商的数据，我们选取 了 650V 和 1200V 分别一款 IGBT 单管和 SiC MOSFET 产品价格进行对比。在 650V 产品上，SiC MOSFET 产品的渠道报价是 IGBT 单管的 3.8 倍，而 1200V 产品上，SiC MOSFET 的渠道报价是 IGBT 单管的 3.5 倍，显示高压领域，SiC MOSFET 价格差距要更小一点。根据 CASA Research 的说法，SiC 器件的实际 成交价基本约为公开报价的 60%-70%，所以我们预计 SiC 与硅基器件的实际成交 价差距可能缩小至 3 倍以下。

表 1：2022 年 6 月 IGBT 单管与 SiC MOSFET 产品渠道报价对比

资料来源：Mouser，德邦研究所；数据取各个料号的最低价格

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4. 风险提示

下游需求不及预期，行业竞争加剧风险，产品迭代升级进度不及预期风险。

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信息披露

分析师与研究助理简介

陈海进，电子行业首席分析师，6 年以上电子行业研究经验，曾任职于民生证券、方正证券、中欧基金等，南开大学国际经济研究所硕 士。电子行业全领域覆盖。

分析师声明

本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格，以勤勉的职业态度，独立、客观地出具本报告。本报告所采用的数据和信 息均来自市场公开信息，本人不保证该等信息的准确性或完整性。分析逻辑基于作者的职业理解，清晰准确地反映了作者的研究观 点，结论不受任何第三方的授意或影响，特此声明。

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